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埃德万斯中标价值358万元的离子束刻蚀系统


更新时间:2025-12-15

南京大学离子束刻蚀系统(IBE)项目中标结果处理,北京埃德万斯离子束技术研究所斩获价值358万元的订单。下面介绍一下离子束刻蚀系统


离子束刻蚀系统是一种利用高能离子束对材料表面进行物理轰击,实现纳米级精度刻蚀的工艺试验仪器,其核心原理、系统组成、技术特点及应用领域如下:

一、核心原理

离子束刻蚀通过电离惰性气体(如氩气、氪气、氙气)生成等离子体,利用栅极引出加速离子束,以物理溅射方式剥离材料表面原子。高能离子轰击靶材时,能量传递至表面原子,当原子积累的能量超过其结合能时,脱离固体表面形成溅射,从而实现刻蚀。该过程为纯物理过程,无化学反应参与,可避免化学刻蚀导致的掩膜下底切现象,适用于高精度亚微米级图形制备。

二、系统组成

离子束刻蚀系统通常由以下核心模块构成:

离子源:产生高能离子束的核心部件,常见类型包括ECR型、RF型等,支持惰性或活性气体电离。

真空系统:由分子泵、机械泵及真空计组成,确保刻蚀环境的高真空度(极限真空度可达8.5×10?? Pa),减少气体分子对离子束的干扰。

工艺腔室:集成基板支架、离子束引出装置及温度控制系统,支持基板旋转、倾斜及冷却,保障刻蚀均匀性。

气路系统:配备质量流量计,精确控制反应气体流量,维持腔室压力稳定(工作压强范围1×10?? Pa至1.3×10?? Pa)。

电源与电气系统:提供离子源加速电压(300-2000V连续可调)、束流密度(0.16-0.20mA/cm?)及离子能量(100-1000eV)的精准控制。

三、技术特点

高精度与高分辨率:刻蚀线条宽度可达纳米级,侧壁角度偏差≤1.5°,深度均匀性波动±3%以内,满足亚微米级图形转移需求。

多材料适应性:可刻蚀金属(如Ni、Cu、Au)、半导体(如Si、GaAs)、陶瓷(如SiO?、TiO?)及聚合物等材料,支持硬质薄膜加工。

工艺灵活性:离子能量与束流密度独立可控,支持物理刻蚀(IBE)与化学辅助刻蚀(CAIBE)模式切换,适应不同材料与工艺需求。

高稳定性与长寿命:采用高稳定性设计,如水冷系统维持基板温度(10-25℃),防止图形畸变,保障长期运行精度。

四、应用领域

微纳光学加工:用于制备衍射光学元件、全息光栅等,通过复合工艺(如Ar离子束预刻蚀与CHF反应刻蚀)优化光栅掩模占宽比与槽深均匀性。

半导体制造:支持Ⅲ-Ⅴ族化合物及硬质薄膜处理,如减薄石英晶体、制作微电子器件结构等。

航空航天:实现高精度材料加工与微结构制作,如传感器件表面处理、光学元件抛光等。

科研领域:在物理学研究中用于微结构光电器件样品制备,如声表面波器件、磁泡储存器等。


一、项目编号:GZH2502230(JSHC-2025060430A3)(招标文件编号:GZH2502230(JSHC-2025060430A3))

二、项目名称:南京大学离子束刻蚀系统(IBE)

三、中标(成交)信息

供应商名称:北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

供应商地址:北京市海淀区地锦路33号院1号楼1层01

中标(成交)金额:358.0000000(万元)

四、主要标的信息

序号   供应商名称     货物名称     货物品牌     货物型号     货物数量     货物单价(元)  
1   北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司     离子束刻蚀系统     埃德万斯     RFIBE-30     1套     3580000  


公告信息:
采购项目名称南京大学离子束刻蚀系统(IBE)
品目


货物/设备/电子和通信测量仪器/元件器件参数测量仪/半导体器件参数测量仪


采购单位南京大学
行政区域江苏省公告时间2025年12月15日 11:45
评审专家名单石军、陈绍丽、杨洪、朱学英、谢航(采购人代表)
总中标金额¥358.000000 万元(人民币)



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